RTP-SA-8产品介绍
RTP-SA-8是在保护气氛下的半自动立式快速退火系统，以红外可见光加热单片Wafer 或样品，工艺时间短，控温精度高，适用 4-12 英寸晶片。相对于传统扩散炉退火系统和其他RTP 系统，其独特的腔体设计、先进的温度控制技术和独有的RL900软件控制系统，确保了极好的热均匀性。
产品特点
▲红外卤素灯管加热，冷却采用风冷;
▲灯管功率 PID 控温，可精准控制温度升温，保证良好的重现性与温度均匀性;
▲采用平行气路进气方式，气体的进入口设置在 Wafer 表面，避免退火过程中冷点产生，保证产品良好的温度均匀性;
▲大气与真空处理方式均可选择，进气前气体净化处理;
▲标配两组工艺气体，最多可扩展至6组工艺气体:
▲可测单晶片样品的最大尺寸为12英寸(300x300mm);
▲采用炉门安全温度开启保护、温控器开启权限保护以及设备急停安全保护三重安全措施，全方位保障仪器使用安全。
应用行业
A、氧化物、氮化物生长
B、硅化物合金退火
C、砷化镓工艺
D、欧姆接触快速合金
E、氧化回流
F、其他快速热处理工艺
基本配置
| 项目 | 指标 |
| 最大产品尺寸 | 4-12 英寸晶圆或者最大支持 300x300mm产品，兼容 12寸及以下晶圆 |
| 温度范围 | 室温~1250℃ |
| 最高升温速度 | 100℃/s可编程(此温度为不含载盘的升温速度)25℃/s(SiC载盘) |
| 温度均匀度 | <500℃时温度均匀性:±1℃>500℃时温度均匀性:±1% |
| 温度控制重复性 | ±1℃ |
| 温控方式 | 快速 PID 温控 |
| 整体设计 | 可配置大气常压腔体或者真空腔体 |
| 衬底冷却方式 | 氮气吹扫 |
| 工艺气体 | MFC控制，四路气体(N2/O2/GN2/H₂) |
| 控制方式 | 工业电脑+PC control |
