快速退火炉RTP-Table-6

RTP-Table-6是在保护气氛下的桌面手动快速退火系统,以红外可见光加热单片Wafer 或样品,工艺时间短,控温精度高,适用 2-6 英寸晶片。相对于传统扩散炉退火系 统和其他 RTP 系统,其独特的腔体设计、先进的温度控制技术和独有的RL900软件控制系统,确保了极好的热均匀性。

快速退火炉RTP-Table-6产品介绍

 

概要

RTP-Table-6是在保护气氛下的桌面手动快速退火系统,以红外可见光加热单片Wafer 或样品,工艺时间短,控温精度高,适用 2-6 英寸晶片。相对于传统扩散炉退火系 统和其他 RTP 系统,其独特的腔体设计、先进的温度控制技术和独有的RL900软件控制系统,确保了极好的热均匀性。


产品特点

▲红外卤素灯管加热,冷却采用风冷;

▲灯管功率PID控温,可精准控制温度升温,保证良好的重现性与温度均匀性;

▲采用平行气路进气方式,气体的进入口设置在Wafer表面,避免退火过程中冷点产生,保证产品良好的温度均匀性;

▲大气与真空处理方式均可选择,进气前气体净化处理;

▲标配两组工艺气体,最多可扩展至6组工艺气体;

▲可测单晶片样品的最大尺寸为6英寸(150mm);

▲采用炉门安全温度开启保护、温控器开启权限保护以及设备急停安全保护三重安全措施,全方位保障仪器使用安全。


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A、氧化物、氮化物生长

B、硅化物合金退火

C、砷化镓工艺

D、欧姆接触快速合金

E、氧化回流

F、其他快速热处理工艺


基本配置

项目 指标
最大产品尺寸 6寸晶圆或者最大支持150x150mm产品
温度范围 室温~1250℃
最高升温速度 100℃/s可编程(此温度为不含载盘的升温速度)
温度均匀度 ±5℃≤ 500℃  ±1% >500℃
温度控制重复性 ±1℃
温控方式 快速 PID 温控
衬底冷却方式 氮气吹扫
工艺气体 MFC控制,常规三路气体(N/O/GN)
控制方式 工业电脑+PC control
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