半导体行业快速退火炉（RTP）是一种加热设备，能够在短时间内将半导体材料快速加热至高温度，并且通过快速冷却的形式使其达到极高的温度梯度。快速退火炉在半导体材料制造中广泛应用，如CMOS器件后端制程、GaN薄膜制备、SiC材料晶体生长以及抛光后退火等。
一、快速退火炉原理
半导体行业快速退火炉根据高功率的电热元件，如加热电阻来产生高温。在快速退火炉中，一般采用氢气或氮气作为气氛保护，以避免半导体材料高温氧化与污染。半导体材料在高温下快速退火后，会再次结晶和再结晶，从而使得晶体缺陷降低，改进半导体的电学性能，提高设备的可靠性和使用寿命。
1.1快速退火（RTA） 【RTA快速退火炉】
和传统退火相比较，快速退火具有更强的加热和冷却速度。通过快速加热和冷却，可以缩短退火时间，提高工作效率。
1.2快速热处理（RTP） 【RTP快速退火炉】
热处理是半导体制造中的一项关键技术，它能够改变材料的微观结构和性能。在热处理过程中，材料被加热到高温度，随后进行保温和冷却。在这个过程中，材料内部的原子会发生重新排列，从而改善材料的物理、化学和机械性质。
二、半导体行业退火炉的应用领域
1.封装工艺
在封装工艺中，快速退火炉主要运用于引线的切割和组装。引线经过切割和组装后，可能产生内应力，影响封装的稳定性和可靠性。通过快速退火处理，能消除引线内的应力，提升封装的稳定性和可靠性，保证产品的使用寿命。
2.CMOS器件后端制程 【RTP快速退火炉】
在CMOS器件后端制程中，快速退火炉可以用来修复制程中产生的损伤和缺陷，增强器件的电学性能。通过快速退火处理，能够减少CMOS器件中的氧化物陷阱电荷和界面态密度，提升器件的稳定性和寿命。
3.GaN薄膜制备
GaN是一种重要的宽禁带半导体材料，具有优良的光电性能和稳定性。在GaN薄膜制备过程中，快速退火炉可以用来提升薄膜的结晶质量和表面平滑度。通过快速退火处理，能消除薄膜中的应力，降低缺陷，提升GaN薄膜的光电性能和稳定性。
4.SiC材料晶体生长
SiC是一种具有高热导率、高击穿电压、高饱和电子速度等优良特性的宽禁带半导体材料。在SiC材料晶体生长过程中，快速退火炉可以用来提升晶体生长的质量和尺寸，降低缺陷和氧化。通过快速退火处理，能消除晶体中的应力，提升SiC材料的晶体品质和性能。
