快速退火炉RTP-SA-12
一、简介
1.1 概要
RTP-SA-12是在保护气氛下的半自动立式快速退火系统，以红外可见光加热单片 Wafer或样品，工艺时间短，控温精度高，适用4-12英寸晶片。相对于传统扩散炉退火系统和其他RTP系统，其独特的腔体设计、先进的温度控制技术和独有的RL900软件控制系统，确保了极好的热均匀性。
1.2 产品特点
（1）红外卤素灯管加热，冷却采用风冷
（2）灯管功率PID控温，可精准控制温度升温，保证良好的重现性与温度均匀性
（3）采用平行气路进气方式，气体的进入口设置在Wafer表面，避免退火过程中冷点产生，保证产品良好的温度均匀性
（4）大气与真空处理方式均可选择，进气前气体净化处理
（5）标配两组工艺气体，最多可扩展至6组工艺气体
（6）可测单晶片样品的最大尺寸为12英寸（300×300mm）
（7）采用炉门安全温度开启保护、温控器开启权限保护以及设备急停安全保护三重安全措施，全方位保障仪器使用安全
1.3 RTP欧宝最新登录入口
氧化物、氮化物生长
硅化物合金退火
砷化镓工艺
欧姆接触快速合金
氧化回流
其他快速热处理工艺
离子注入激活
行业领域：
芯片制造 生物医学 纳米技术
MEMS LEDs 太阳能电池
化合物产业 ：GaAs，GaN，GaP，
GaInP，InP，SiC
光电产业：平面光波导，激光，VCSELs
二、技术规格
2.1参数RTP-SA-12
最大产品尺寸：4-12英寸晶圆或者最大支持300×300mm产品
温度范围：室温~1250℃
最高升温速度：150℃/s
温度均匀度：±1%
温控方式：快速PID温控
降温速度：200℃/min（1000~400℃）
腔体设计：可配置大气常压腔体或者真空腔体
腔体冷却方式：水冷腔体，独立水冷源控制冷却
衬底冷却方式：氮气吹扫
工艺气体：MFC控制，常规两路气体，最大可扩充至6路气体
