全自动双腔快速退火炉 RTP-DTS-64

采用红外辐射加热技术,可实现1吋(选配2吋)样品快速升温和降温,同时搭配超高精度温度控制系统,可达到较好的温场均匀性,对材料的快速热处理(RTP)、快速退火(RTA)、快速热氮化(RTN)、快速热氧化(RTO)及金属合金化等研究和生产起到重要作用。

全自动双腔快速退火炉 RTP-DTS-64 产品简介

 

RTP-ATS-64是在保护气氛下的全自动立式快速退火系统,以红外可见光加热单片Wafer 或样品,工艺时间短,控温精度高,适用4寸4片(可兼容4寸9片)或6寸4 片快速热退火制程。相对于传统扩散炉退火系统和其他RTP系统,其独特的腔体设计、先进的温度控制技术和独有的RL900软件控制系统,确保了极好的热均匀性。


产品特点

▲红外卤素灯管加热,冷却采用风冷;

▲灯管功率 PID 控温,可精准控制温度升温,保证良好的重现性与温度均匀性;

▲采用平行气路进气方式,气体的进入口设置在 Wafer 表面,避免退火过程中冷点产生,保证产品良好的温度均匀性:

▲大气与真空处理方式均可选择,进气前气体净化处理;

▲标配两组工艺气体,最多可扩展至6组工艺气体;

▲可处理单晶片样品的最大尺寸为12英寸(300x300mm),兼容4寸4片(可兼容4寸9片)或6寸4片:

▲采用炉门安全温度开启保护、温控器开启权限保护以及设备急停安全保护三重安全措施,全方位保障仪器使用安全。


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A、氧化物、氮化物生长

B、硅化物合金退火

C、砷化镓工艺

D、欧姆接触快速合金

E、氧化回流

F、其他快速热处理工艺


基本配置

项目 指标 项目 指标
最大产品尺寸 最大处理300x300mm,兼容4寸4片(可兼容4寸9片)或6寸4片 最高升温速度 ≤100℃/s可编程(此温度为不含载盘的升温度)≤25℃/s(SiC载盘)
机台尺寸 2200x2300x2050(宽x深x高) 温控方式 快速 PID 温控
Cassette Ports 4个 腔体设计 可配置大气常压腔体或者真空腔体
腔体数量 双炉体 Robot 晶圆 Robot
温度范围 室温~1250℃ 腔体冷却方式 水冷腔体,独立水冷源控制冷却
温度测量 K型热电偶(红外高温计可选) 工艺气体 MFC控制,三路气体(可选N2/O2/GN2)
温度均匀度 ±5℃≤ 500℃   ±1% >500℃ 控制方式 工业电脑+PC control
温度控制重复性 ±1℃ 无尘等级 Class 100
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