快速退火炉（RapidThermalProcessing，RTP）采用红外辐射加热技术，可以实现样品的快速升温和降温，同时搭配超高精度温度控制系统，可以达到极好的温场均匀度，可用工艺包括和离子注入工艺配合使用以达到晶圆掺杂、金属薄膜沉积后金属硅化物烧结、晶圆表面改性（氧化、氮化）等。
芯片的制造过程可分为前道工艺和后道工艺。前道是指晶圆制造厂的生产加工过程，在空白硅片上完成电路的处理，在出厂产品是完整的圆形硅片。后道是指封装和测试的过程，在封测厂中将圆形的硅片切割成单独的芯片颗粒，进行外壳的封装，最后完成终端测试，在出厂为芯片成品。
【RTP快速退火炉】
集成电路前道芯片工艺热处理步骤
在前道工艺的离子注入环节中，高能掺杂物离子（硼、磷等）对晶圆表面的硅晶体结构造成破坏。因此在离子注入后必须充分利用加热退火工艺对晶格的损伤进行处理，让其恢复单晶结构并激活掺杂物，当掺杂原子在单晶晶格位置时，才能更好地供应电子或空穴作为传导电流的核心载流子。
所以，快速退火炉在半导体工艺设备中是不可缺少的一份子。尽管快速退火炉是属于相对技术难度较低领域，但早期的的市场竞争中，还是被欧美日韩等外国企业占据着主导地位。特别是高端的快速退火炉，我国科研单位和高等院校使用需求常常会被外国企业严苛的条件和高昂的价格所限制。
以美国为首的西方国家对我国的限制打击早已有之，96年签订了《瓦森纳协议》已经成为主要是针对中国实行“落差战略”的可怕武器。这也是导致中国著名的“908工程”和“909工程”的未能达到预期的目标。现如今中国因为缺少原创技术，高级技术设备被逐层加锁。特别是半导体行业，由于某些高端的半导体设备的限制入口，中国高端集成电路（芯片）严重依赖进口。根据国家统计局数据显示，2021年，我国进口的集成电路（芯片），达到27935亿元！并且增速达到了15.4%！
【RTP快速退火炉】
2015年3月5日，李克强在全国两会上作《政府工作报告》时首提“中国制造2025”的宏大计划。2015年3月25日，李克强组织召开国务院常务会议，部署加快推进实施“中国制造2025”，实现制造业升级。正是此次国务院常务会议，审议通过了《中国制造2025》。2015年5月19日，国务院正式印发《中国制造2025》。
中国制造2025》的目的就是转变我国从低端制造商到高端生产商的认知，转变国内工业水平大而不强的局面，降低中国对外国技术性依赖，终极推动中国技术制造商进入国际市场上。也正是在此国家行动指南下，中国的国产化狂潮迎来快速增长期。而我国快速退火炉领域内的制造商也雨后春笋般，打破了欧美日等企业的压制，推出赶超外国品牌的产品。这类自主研发制造的快速退火炉已经广泛应用于国内各大高校和科院院所，实现了“国产替代”目标！
应用广泛的国产快速退火炉
但国产退火炉想要进入国际市场上还有很长一段路要走！特别是欧美等国企业仍然坚持对中国技术制造商的围追堵截！这些企业的策略也很有用心！当某种设备或产品无法国产时，他们往往会以较贵的价格对华出售！这样不仅能赚取大量的利润，而且可以打击某些研发者或决策者的信念！既然用钱购买到，为何还要花大量的精力和金钱去研发制造？
而当我们花费大量精力和金钱研发制造出这种设备或产品的时候，由于技术的沉淀和技术领先，欧美等国企业会马上以极低的价格展开倾销，并适时推出性能参数技术领先新款设备或产品！这往往导致国内自主研发企业损失惨重甚至宣布破产！这样的情况下，在半导体制造等高科技领域极为普遍！要是没有国家的政策和资金支持，这些手段国内几乎没有企业能承受！
当雪崩发生时，没有一片雪花是无辜的！但当火箭一飞冲天时，没有一个零件是无用的！实现“中国制造2025”的目标，不仅要有国内技术性制造商知难而上，挺身而出冲破西方封锁，并且也要国内广大用户鼎力支持！
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