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晶圆清洗【TC WAFER】
晶圆清洗是指在集成电路制造过程中，晶圆表面的污染物和氧化物被化学或物理去除，使晶圆表面符合清洁要求的过程。晶圆清洗的原理是在不损坏晶圆的情况下去除各种杂质。[6]
去除颗粒的机制主要有四种：溶解、氧化分解、颗粒和硅片表面的电排斥、硅片表面的轻微腐蚀。
对于金属颗粒的去除，通常使用SC-2溶液或HPM溶液来降低晶圆表面的金属含量。其中，SC-2溶液会产生晶体，这可能会增加清洗后晶体表面颗粒的数量。因此，金属颗粒可以用HF代替HCL，也可以用O3和HF代替SC-2溶液，金属颗粒也可以很好地去除。【TC WAFER】
对于有机污染物，通常采用SPM溶液或紫外线/臭氧干洗技术去除。
经湿法清洗后，晶圆必须彻底干燥，以确保表面没有水痕，然后才能进入下一步工艺。目前最常见的干燥方式有三种:旋转干燥、Marangoni干燥和热异丙醇雾化。
行业发展【TC WAFER】
近日，全球EDA和半导体IP领域的龙头企业新思科技首席战略官AntonioVaras接受了西班牙国家报告。(ElPaís)在视频采访中，台积电生产了世界上90%的10nm以下的先进工艺芯片。如果中国台湾省芯片因台海冲突无法出口，世界各地的工厂将被迫停工3周至3个月。